储存晶片涨价潮正在逼近「天花板」。伯恩斯坦最新 7 月储存价格追踪报告显示，2026 年第 3 季 DRAM 与 NAND 合约价格涨幅虽仍维持双位数，但成长速度已较第 2 季明显放缓，市场开始面临高价格对终端需求的反噬。伯恩斯坦指出，储存供应紧张可能延续至 2027 年，但价格进一步上涨的空间正在受到需求疲软与长期供应协议 (LTA) 价格上限的双重限制。
储存股 8 日普遍承压，SK 海力士、Western Digital (WDC-US) 股价一度跌近 6%，SanDisk (SNDK-US) 跌逾 4%，Micron Technology (MU-US) 则跌近 3%，反映市场开始重新评估储存价格持续飙升对业者获利与估值的边际效应。
根据伯恩斯坦 7 月储存价格追踪数据，传统 DRAM 第 3 季合约价格目前估计较第 2 季上涨约 17%，略高于伯恩斯坦自身模型预测，但可能低于市场近期部分更乐观的预期。NAND 方面，若将 SSD 纳入计算，整体合约价格第 3 季涨幅接近 20%，大致符合伯恩斯坦模型，但同样可能不及市场最乐观估计。
伯恩斯坦分析师 Mark Li 指出，储存晶片正逐渐成为 AI 与非 AI 应用的成本负担。随着 DRAM 与 NAND 价格快速攀升，部分客户开始面临成本转嫁与采购调整压力，而部分长期供应协议已设定价格上限，限制供应商将价格进一步推高的能力。
从 DRAM 市场来看，伺服器需求仍是目前最强劲的支撑。客户普遍预期 2027 年供应情况将进一步吃紧，因此积极提前备货。TrendForce 资料显示，7 月伺服器 DRAM 合约价格较前月上涨约 8% 至 15%，预估第 3 季整体合约价格较第 2 季上涨约 13% 至 18%。不过，市场已出现明显的客户分化，对于已签订包含价格上限 LTA 的客户而言，7 月价格已逐渐逼近协议天花板，与没有 LTA 约束的客户相比，报价差距正在扩大。
PC 市场的情况则明显转弱。TrendForce 预估，PC DRAM 合约价格 7 月较前月上涨约 13% 至 16%，第 3 季较第 2 季约上涨 17%。然而，记忆体成本快速增加已迫使 PC OEM 厂商调高整机售价，进而压抑消费需求，PC 出货量预估第 3 季将季减逾 10%，客户采购意愿也因此明显降低。
手机市场同样开始出现价格阻力。TrendForce 预估，手机 DRAM 第 3 季合约价格涨幅约 10%，较第 2 季明显收敛。随着手机 OEM 厂商下调智慧手机生产计划，客户对进一步涨价的接受程度正在下降，预期第 4 季手机 DRAM 价格涨幅将进一步收窄至个位数。
消费性 DRAM 目前仍是表现相对强势的产品类别之一。7 月合约价格较前一季上涨约 12% 至 16%，第 3 季季增幅度预估达 24% 至 30%。不过，TrendForce 观察到，现货价格开始落后于合约价格，通常代表下游即期需求的追价意愿正在下降，也可能意味着消费性 DRAM 需求已逐渐接近高峰。
NAND 市场的分化程度则更为明显。NAND 晶圆合约价格 7 月基本持平，模组厂商受到消费电子需求疲软影响，对进一步涨价的接受程度下降，导致市场交易量大幅萎缩。TrendForce 指出，在终端需求仍偏弱的情况下，模组厂商认为目前 NAND 晶圆价格已经偏高，因此更倾向先消化手中的库存，而不是接受更高价格。
手机 NAND，包括 eMMC 与 UFS，表现则相对稳健。TrendForce 预估第 3 季价格较第 2 季上涨约 20%，主要反映产品价格追赶企业级 SSD(eSSD) 获利水准的补涨需求。在这一轮价格调整中，中国供应商因报价相对低廉而取得更多出货份额，显示中国业者的价格竞争力正在提高。
SSD 则成为 NAND 市场目前最重要的价格支撑。伯恩斯坦估计，客户端与企业级 SSD 第 3 季合约价格较第 2 季上涨约 20%，带动整体 NAND 价格涨幅接近 20%。不过，伯恩斯坦认为，NAND 涨势同样正在逐步放缓，价格高峰可能出现在 2027 年的某个时间点，且中国供应商竞争力持续提高，将对长期价格形成结构性压力。
近期产业数据也显示，供应紧张并不代表价格可以无限制上涨。台湾记忆体模组厂商威刚相关产业资讯显示，AI 伺服器需求持续挤压一般 DRAM 与消费型 NAND 的产能配置；同时，记忆体供应商持续将产能优先配置至高频宽记忆体 (HBM) 及伺服器产品，使一般市场可取得的供应受到压缩。
威刚方面近期产业展望也指出，2027 年主要 DRAM 制造商提供给独立模组厂的晶片供应量可能大幅下降，甚至可能仅约为 2026 年的 30%，原因在于 HBM 与伺服器记忆体持续消耗制造产能。这代表即使价格涨幅开始放缓，供应紧张本身仍可能持续至 2027 年。
这也使市场目前面临一个关键矛盾：供应面依旧紧张，但需求端已开始对高价格产生抵抗。AI 资料中心仍然需要大量 DRAM 与企业级 SSD，支撑储存产业维持高景气；但 PC、智慧手机与消费电子市场却已开始受到记忆体成本上升影响，终端产品价格上调与出货下滑可能进一步削弱下游采购需求。
近期 TrendForce 公布的价格资料亦显示，DRAM 现货市场仍维持高档，例如 7 月底 DDR5 16Gb 颗粒平均价格约为 50.93 美元，DDR4 16Gb 平均价格则约为 85 美元，市场价格依然处于高位。
伯恩斯坦目前维持 Samsung Electronics、SK 海力士、Micron Technology 与 SanDisk「跑赢大市」评级，目标价分别为韩元 44 万、韩元 330 万、1300 美元与 3000 美元；对 KIOXIA 则维持「跑输大盘」评级，目标价为 4 万日圆。
整体而言，伯恩斯坦并未认为储存产业即将进入供过于求的崩跌阶段。相反地，AI 基础建设需求、HBM 产能排挤效应及伺服器记忆体需求仍将使供应维持紧绷，价格也有望维持在高位。近期业界甚至有看法认为记忆体短缺可能延续至 2028 年，显示供应问题短期内仍难完全解除。
然而，价格持续上涨的速度可能已经开始接近极限。一方面，PC 与手机客户的库存正在趋于稳定甚至增加，面对持续涨价，OEM 厂商开始削减生产与出货计划；另一方面，伺服器客户签订的 LTA 价格上限，也正在限制部分 DRAM 产品的涨价空间。更重要的是，储存成本快速增加已经开始成为 AI 与非 AI 应用的成本负担，当价格超过终端客户可以接受的范围，供应商的议价能力也将逐步受到需求破坏。
因此，伯恩斯坦认为近期储存股的回调，反而可能创造短线技术性反弹的交易窗口，但投资人不宜将股价回落视为下一轮无限涨价周期的起点。随着第 3 季涨幅开始收敛，市场真正需要关注的已经不是「储存价格还能涨多少」，而是「高价格何时开始压缩需求」。
在供应短缺延续至 2027 年的背景下，储存价格维持高档仍具有基本面支撑，但伯恩斯坦的最新判断显示，价格上行空间已明显缩小。换言之，这一轮储存涨价潮或许尚未结束，但市场可能已经逐渐看见它的「天花板」。